Справочник IGBT. NTE3311

 

NTE3311 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: NTE3311
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для NTE3311

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NTE3311 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:43K  no
 nte3311.pdf pdf_icon

NTE3311

NTE3311Insulated Gate Bipolar TransistorN-Channel Enhancement Mode,High Speed SwitchFeatures:D High Input ImpedanceD High SpeedD Low Saturation VoltageD Enhancement ModeApplications:D High Power SwitchingD Motor ControlAbsolute Maximum Raings: (TA = +25C unless otherwise specified)Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

 8.1. Size:55K  1
 nte3312.pdf pdf_icon

NTE3311

NTE3312Insulated Gate Bipolar TransistorN-Channel Enhancement Mode,High Speed SwitchTO3P Type PackageFeatures:D High Input ImpedanceD High SpeedD Low Saturation VoltageD Enhancement ModeApplications:D High Power SwitchingD Motor ControlAbsolute Maximum Raings: (TA = +25_C unless otherwise specified)Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

 8.2. Size:43K  no
 nte3310.pdf pdf_icon

NTE3311

NTE3310Insulated Gate Bipolar TransistorN-Channel Enhancement Mode,High Speed SwitchFeatures:D High Input ImpedanceD High SpeedD Low Saturation VoltageD Enhancement ModeApplications:D High Power SwitchingD Motor ControlAbsolute Maximum Raings: (TA = +25C unless otherwise specified)Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

 9.1. Size:58K  1
 nte3321.pdf pdf_icon

NTE3311

NTE3321Insulated Gate Bipolar TransistorN-Channel Enhancement Mode,High Speed SwitchTO3P Type PackageFeatures:D High Input ImpedanceD High SpeedD Low Saturation VoltageD Enhancement ModeApplications:D High Power SwitchingAbsolute Maximum Ratings: (TA = +25_C unless otherwise specified)Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MSAGZ52F120A , MSAGZ52F120B , MSAHX60F60A , MSAHX60F60B , MSAHX75L60C , MSAHX75L60D , MSAHZ52F120A , MSAHZ52F120B , MGD623S , NTE3312 , NTE3320 , NTE3321 , NTE3322 , NTE3323 , P12N60C3 , PPNGZ52F120A , PPNGZ52F120B .

 

 
Back to Top

 


 
.