PPNGZ52F120B - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PPNGZ52F120B
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 52 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 110 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2200pF pF
Paquete / Cubierta: TO258
Búsqueda de reemplazo de PPNGZ52F120B - IGBT
PPNGZ52F120B Datasheet (PDF)
ppngz52f120a.pdf
7516 Central Industrial DrivePPC INC.Riviera Beach, FL 33404PH: 561-842-0305PPNGZ52F120AFax: 561-845-7813PPNHZ52F120AFeatures Rugged polysilicon gate cell structure high current handling capability, latch-proof Hermetically sealed package Low package inductance Very low thermal resistanceTO-258 Reverse polarity available upon request: PPNH(G)Z52F120
Otros transistores... NTE3311 , NTE3312 , NTE3320 , NTE3321 , NTE3322 , NTE3323 , P12N60C3 , PPNGZ52F120A , MBQ40T65FDSC , PPNHZ52F120A , PPNHZ52F120B , RCH10N35 , RCH10N40 , RCH10N40A , RCM10N35 , RCM10N40 , RCM10N40A .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2