PPNGZ52F120B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PPNGZ52F120B  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 52 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 110 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2200pF pF

Encapsulados: TO258

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PPNGZ52F120B datasheet

 3.1. Size:88K  microsemi
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PPNGZ52F120B

7516 Central Industrial Drive PPC INC. Riviera Beach, FL 33404 PH 561-842-0305 PPNGZ52F120A Fax 561-845-7813 PPNHZ52F120A Features Rugged polysilicon gate cell structure high current handling capability, latch-proof Hermetically sealed package Low package inductance Very low thermal resistance TO-258 Reverse polarity available upon request PPNH(G)Z52F120

Otros transistores... NTE3311, NTE3312, NTE3320, NTE3321, NTE3322, NTE3323, P12N60C3, PPNGZ52F120A, RJH60F5DPQ-A0, PPNHZ52F120A, PPNHZ52F120B, RCH10N35, RCH10N40, RCH10N40A, RCM10N35, RCM10N40, RCM10N40A