Справочник IGBT. PPNGZ52F120B

 

PPNGZ52F120B - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: PPNGZ52F120B

Тип управляющего канала: P-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.2

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 52

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 110

Емкость коллектора (Cc), pf: 2200pF

Корпус: TO258

Аналог (замена) для PPNGZ52F120B

 

 

PPNGZ52F120B Datasheet (PDF)

1.1. ppngz52f120a.pdf Size:88K _igbt

PPNGZ52F120B
PPNGZ52F120B

7516 Central Industrial Drive PPC INC. Riviera Beach, FL 33404 PH: 561-842-0305 PPNGZ52F120A Fax: 561-845-7813 PPNHZ52F120A Features • Rugged polysilicon gate cell structure • high current handling capability, latch-proof • Hermetically sealed package • Low package inductance • Very low thermal resistance TO-258 • Reverse polarity available upon request: PPNH(G)Z52F120

1.2. ppngz52f120a.pdf Size:88K _microsemi

PPNGZ52F120B
PPNGZ52F120B

7516 Central Industrial Drive PPC INC. Riviera Beach, FL 33404 PH: 561-842-0305 PPNGZ52F120A Fax: 561-845-7813 PPNHZ52F120A Features • Rugged polysilicon gate cell structure • high current handling capability, latch-proof • Hermetically sealed package • Low package inductance • Very low thermal resistance TO-258 • Reverse polarity available upon request: PPNH(G)Z52F120

 

Другие IGBT... NTE3311 , NTE3312 , NTE3320 , NTE3321 , NTE3322 , NTE3323 , P12N60C3 , PPNGZ52F120A , IRGP50B60PD1 , PPNHZ52F120A , PPNHZ52F120B , RCH10N35 , RCH10N40 , RCH10N40A , RCM10N35 , RCM10N40 , RCM10N40A .

 

 
Back to Top