PPNGZ52F120B - аналоги и описание IGBT

 

PPNGZ52F120B - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: PPNGZ52F120B

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: P

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 52 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 110 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2200pF pF

Тип корпуса: TO258

 Аналог (замена) для PPNGZ52F120B

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

PPNGZ52F120B даташит

 3.1. Size:88K  microsemi
 ppngz52f120a.pdf pdf_icon

PPNGZ52F120B

7516 Central Industrial Drive PPC INC. Riviera Beach, FL 33404 PH 561-842-0305 PPNGZ52F120A Fax 561-845-7813 PPNHZ52F120A Features Rugged polysilicon gate cell structure high current handling capability, latch-proof Hermetically sealed package Low package inductance Very low thermal resistance TO-258 Reverse polarity available upon request PPNH(G)Z52F120

Другие IGBT... NTE3311 , NTE3312 , NTE3320 , NTE3321 , NTE3322 , NTE3323 , P12N60C3 , PPNGZ52F120A , RJH60F5DPQ-A0 , PPNHZ52F120A , PPNHZ52F120B , RCH10N35 , RCH10N40 , RCH10N40A , RCM10N35 , RCM10N40 , RCM10N40A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.