PPNHZ52F120A Todos los transistores

 

PPNHZ52F120A IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PPNHZ52F120A

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 52 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 110 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2200pF pF

Encapsulados: TO258

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PPNHZ52F120A datasheet

 ..1. Size:88K  microsemi
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PPNHZ52F120A

7516 Central Industrial Drive PPC INC. Riviera Beach, FL 33404 PH 561-842-0305 PPNGZ52F120A Fax 561-845-7813 PPNHZ52F120A Features Rugged polysilicon gate cell structure high current handling capability, latch-proof Hermetically sealed package Low package inductance Very low thermal resistance TO-258 Reverse polarity available upon request PPNH(G)Z52F120

Otros transistores... NTE3312 , NTE3320 , NTE3321 , NTE3322 , NTE3323 , P12N60C3 , PPNGZ52F120A , PPNGZ52F120B , MBQ40T65FDSC , PPNHZ52F120B , RCH10N35 , RCH10N40 , RCH10N40A , RCM10N35 , RCM10N40 , RCM10N40A , RCP10N35 .

 

 

 

 

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