PPNHZ52F120A Todos los transistores

 

PPNHZ52F120A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PPNHZ52F120A

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 300

Tensión colector-emisor (Vce): 1200

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 3.2

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 52

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 110

Capacitancia de salida (Cc), pF: 2200pF

Empaquetado / Estuche: TO258

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PPNHZ52F120A Datasheet (PDF)

1.1. ppnhz52f120a.pdf Size:88K _microsemi

PPNHZ52F120A
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7516 Central Industrial Drive PPC INC. Riviera Beach, FL 33404 PH: 561-842-0305 PPNGZ52F120A Fax: 561-845-7813 PPNHZ52F120A Features • Rugged polysilicon gate cell structure • high current handling capability, latch-proof • Hermetically sealed package • Low package inductance • Very low thermal resistance TO-258 • Reverse polarity available upon request: PPNH(G)Z52F120

Otros transistores... NTE3312 , NTE3320 , NTE3321 , NTE3322 , NTE3323 , P12N60C3 , PPNGZ52F120A , PPNGZ52F120B , GT20D101 , PPNHZ52F120B , RCH10N35 , RCH10N40 , RCH10N40A , RCM10N35 , RCM10N40 , RCM10N40A , RCP10N35 .

 

 
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