PPNHZ52F120A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: PPNHZ52F120A  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 52 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 110 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2200pF pF

Тип корпуса: TO258

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для PPNHZ52F120A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

PPNHZ52F120A даташит

 ..1. Size:88K  microsemi
 ppnhz52f120a.pdf pdf_icon

PPNHZ52F120A

7516 Central Industrial Drive PPC INC. Riviera Beach, FL 33404 PH 561-842-0305 PPNGZ52F120A Fax 561-845-7813 PPNHZ52F120A Features Rugged polysilicon gate cell structure high current handling capability, latch-proof Hermetically sealed package Low package inductance Very low thermal resistance TO-258 Reverse polarity available upon request PPNH(G)Z52F120

Другие IGBT... NTE3312, NTE3320, NTE3321, NTE3322, NTE3323, P12N60C3, PPNGZ52F120A, PPNGZ52F120B, TGAN20N135FD, PPNHZ52F120B, RCH10N35, RCH10N40, RCH10N40A, RCM10N35, RCM10N40, RCM10N40A, RCP10N35