Справочник IGBT. PPNHZ52F120A

 

PPNHZ52F120A - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: PPNHZ52F120A
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 300
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 52
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 3.2
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 110
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 2200pF
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 160
   Тип корпуса: TO258

 Аналог (замена) для PPNHZ52F120A

 

 

PPNHZ52F120A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:88K  microsemi
 ppnhz52f120a.pdf

PPNHZ52F120A PPNHZ52F120A

7516 Central Industrial DrivePPC INC.Riviera Beach, FL 33404PH: 561-842-0305PPNGZ52F120AFax: 561-845-7813PPNHZ52F120AFeatures Rugged polysilicon gate cell structure high current handling capability, latch-proof Hermetically sealed package Low package inductance Very low thermal resistanceTO-258 Reverse polarity available upon request: PPNH(G)Z52F120

Другие IGBT... NTE3312 , NTE3320 , NTE3321 , NTE3322 , NTE3323 , P12N60C3 , PPNGZ52F120A , PPNGZ52F120B , RJH60D2DPE , PPNHZ52F120B , RCH10N35 , RCH10N40 , RCH10N40A , RCM10N35 , RCM10N40 , RCM10N40A , RCP10N35 .

 

 
Back to Top