RCM10N40A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RCM10N40A
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 75 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 800pF pF
Paquete / Cubierta: TO204
- Selección de transistores por parámetros
RCM10N40A Datasheet (PDF)
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Otros transistores... PPNGZ52F120B , PPNHZ52F120A , PPNHZ52F120B , RCH10N35 , RCH10N40 , RCH10N40A , RCM10N35 , RCM10N40 , IRG4PF50W , RCP10N35 , RCP10N40 , RCP10N40A , OST50N65H4EWF , SGF15N90D , SGF30N60RUF , SGF30N60RUFD , SGF40N60UF .
History: MIO1200-25E10 | XD040Q120AT1S3 | APTGT100A120D1 | APT25GN120BG | 2MBI150VA-120-50 | SKM50GAL12T4 | 2MBI150PC-140
History: MIO1200-25E10 | XD040Q120AT1S3 | APTGT100A120D1 | APT25GN120BG | 2MBI150VA-120-50 | SKM50GAL12T4 | 2MBI150PC-140



Liste
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IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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