RCM10N40A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: RCM10N40A  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 800pF pF

Тип корпуса: TO204

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для RCM10N40A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RCM10N40A даташит

No data!

Другие IGBT... PPNGZ52F120B, PPNHZ52F120A, PPNHZ52F120B, RCH10N35, RCH10N40, RCH10N40A, RCM10N35, RCM10N40, NCE80TD65BT, RCP10N35, RCP10N40, RCP10N40A, OST50N65H4EWF, SGF15N90D, SGF30N60RUF, SGF30N60RUFD, SGF40N60UF