SGF15N90D Todos los transistores

 

SGF15N90D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGF15N90D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 83 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 180 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 80 pF
   Paquete / Cubierta: TO3PF
     - Selección de transistores por parámetros

 

SGF15N90D Datasheet (PDF)

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SGF15N90D

IGBTSGF15N90DGeneral Description FeaturesInsulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with a trench High speed switchinggate structure provide superior conduction and switching Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.0 V @ IC = 15Aperformance in comparison with transistors having a planar High input impedancegate structure. They also have wide noise immunity. These Bu

Otros transistores... RCH10N40A , RCM10N35 , RCM10N40 , RCM10N40A , RCP10N35 , RCP10N40 , RCP10N40A , OST50N65H4EWF , HGTG30N60A4 , SGF30N60RUF , SGF30N60RUFD , SGF40N60UF , SGF40N60UFD , SGF5N150UF , SGF80N60UF , SGF80N60UFD , SGH10N120RUF .

History: AOB30B65LN2V | MMG200D120B6TC | APTGT75DA120D1

 

 
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