SGF15N90D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGF15N90D
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 83 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 180 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 80 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 60 nC
Paquete / Cubierta: TO3PF
Búsqueda de reemplazo de SGF15N90D - IGBT
SGF15N90D Datasheet (PDF)
sgf15n90d.pdf
IGBTSGF15N90DGeneral Description FeaturesInsulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with a trench High speed switchinggate structure provide superior conduction and switching Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.0 V @ IC = 15Aperformance in comparison with transistors having a planar High input impedancegate structure. They also have wide noise immunity. These Bu
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Liste
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