SGF15N90D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SGF15N90D  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 180 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 80 pF

Тип корпуса: TO3PF

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SGF15N90D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGF15N90D даташит

 ..1. Size:396K  1
 sgf15n90d.pdf pdf_icon

SGF15N90D

IGBT SGF15N90D General Description Features Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with a trench High speed switching gate structure provide superior conduction and switching Low saturation voltage VCE(sat) = 2.0 V @ IC = 15A performance in comparison with transistors having a planar High input impedance gate structure. They also have wide noise immunity. These Bu

Другие IGBT... RCH10N40A, RCM10N35, RCM10N40, RCM10N40A, RCP10N35, RCP10N40, RCP10N40A, OST50N65H4EWF, AUIRGPS4067D1, SGF30N60RUF, SGF30N60RUFD, SGF40N60UF, SGF40N60UFD, SGF5N150UF, SGF80N60UF, SGF80N60UFD, SGH10N120RUF