Справочник IGBT. SGF15N90D

 

SGF15N90D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGF15N90D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 180 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 80 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 60 nC
   Тип корпуса: TO3PF

 Аналог (замена) для SGF15N90D

 

 

SGF15N90D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:396K  1
 sgf15n90d.pdf

SGF15N90D SGF15N90D

IGBTSGF15N90DGeneral Description FeaturesInsulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with a trench High speed switchinggate structure provide superior conduction and switching Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.0 V @ IC = 15Aperformance in comparison with transistors having a planar High input impedancegate structure. They also have wide noise immunity. These Bu

Другие IGBT... RCH10N40A , RCM10N35 , RCM10N40 , RCM10N40A , RCP10N35 , RCP10N40 , RCP10N40A , OST50N65H4EWF , IKW40N65WR5 , SGF30N60RUF , SGF30N60RUFD , SGF40N60UF , SGF40N60UFD , SGF5N150UF , SGF80N60UF , SGF80N60UFD , SGH10N120RUF .

 

 
Back to Top