SGF5N150UF Todos los transistores

 

SGF5N150UF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGF5N150UF
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 62.5 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1500 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 15 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 130 pF
   Paquete / Cubierta: TO3PF
 

 Búsqueda de reemplazo de SGF5N150UF IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SGF5N150UF datasheet

 ..1. Size:292K  fairchild semi
 sgf5n150uf.pdf pdf_icon

SGF5N150UF

IGBT SGF5N150UF General Description Features Fairchild s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) High Speed Switching provides low conduction and switching losses. Low Saturation Voltage VCE(sat) = 4.7 V @ IC = 5A SGF5N150UF is designed for the Switching Power High Input Impedance Supply applications. Application Switching Power Supply - High Input Voltage Off-line Co

Otros transistores... RCP10N40 , RCP10N40A , OST50N65H4EWF , SGF15N90D , SGF30N60RUF , SGF30N60RUFD , SGF40N60UF , SGF40N60UFD , KGF75N65KDF , SGF80N60UF , SGF80N60UFD , SGH10N120RUF , SGH10N120RUFD , SGH10N60RUFD , SGH13N60UFD , SGH15N120RUF , SGH15N120RUFD .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.