SGF5N150UF Todos los transistores

 

SGF5N150UF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGF5N150UF
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 62.5 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1500 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 15 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 130 pF
   Paquete / Cubierta: TO3PF
     - Selección de transistores por parámetros

 

SGF5N150UF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:292K  fairchild semi
 sgf5n150uf.pdf pdf_icon

SGF5N150UF

IGBTSGF5N150UFGeneral Description FeaturesFairchilds Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) High Speed Switchingprovides low conduction and switching losses. Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 4.7 V @ IC = 5ASGF5N150UF is designed for the Switching Power High Input ImpedanceSupply applications.ApplicationSwitching Power Supply - High Input Voltage Off-line Co

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History: IXA20IF1200HB | IGD01N120H2 | SGP5N60RUF | IHW30N120R3 | MM40G3U120BX | SGW10N60A | KGT25N120KDA

 

 
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