SGF5N150UF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGF5N150UF  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 62.5 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1500 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 15 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 130 pF

Encapsulados: TO3PF

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SGF5N150UF datasheet

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SGF5N150UF

IGBT SGF5N150UF General Description Features Fairchild s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) High Speed Switching provides low conduction and switching losses. Low Saturation Voltage VCE(sat) = 4.7 V @ IC = 5A SGF5N150UF is designed for the Switching Power High Input Impedance Supply applications. Application Switching Power Supply - High Input Voltage Off-line Co

Otros transistores... RCP10N40, RCP10N40A, OST50N65H4EWF, SGF15N90D, SGF30N60RUF, SGF30N60RUFD, SGF40N60UF, SGF40N60UFD, STGB10NB37LZ, SGF80N60UF, SGF80N60UFD, SGH10N120RUF, SGH10N120RUFD, SGH10N60RUFD, SGH13N60UFD, SGH15N120RUF, SGH15N120RUFD