SGF5N150UF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SGF5N150UF  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1500 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF

Тип корпуса: TO3PF

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SGF5N150UF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGF5N150UF даташит

 ..1. Size:292K  fairchild semi
 sgf5n150uf.pdf pdf_icon

SGF5N150UF

IGBT SGF5N150UF General Description Features Fairchild s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) High Speed Switching provides low conduction and switching losses. Low Saturation Voltage VCE(sat) = 4.7 V @ IC = 5A SGF5N150UF is designed for the Switching Power High Input Impedance Supply applications. Application Switching Power Supply - High Input Voltage Off-line Co

Другие IGBT... RCP10N40, RCP10N40A, OST50N65H4EWF, SGF15N90D, SGF30N60RUF, SGF30N60RUFD, SGF40N60UF, SGF40N60UFD, STGB10NB37LZ, SGF80N60UF, SGF80N60UFD, SGH10N120RUF, SGH10N120RUFD, SGH10N60RUFD, SGH13N60UFD, SGH15N120RUF, SGH15N120RUFD