SGF5N150UF - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги SGF5N150UF. Основные параметры


   Наименование: SGF5N150UF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 30 nC
   Тип корпуса: TO3PF
 

 Аналог (замена) для SGF5N150UF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGF5N150UF даташит

 ..1. Size:292K  fairchild semi
 sgf5n150uf.pdf pdf_icon

SGF5N150UF

IGBT SGF5N150UF General Description Features Fairchild s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) High Speed Switching provides low conduction and switching losses. Low Saturation Voltage VCE(sat) = 4.7 V @ IC = 5A SGF5N150UF is designed for the Switching Power High Input Impedance Supply applications. Application Switching Power Supply - High Input Voltage Off-line Co

Другие IGBT... RCP10N40 , RCP10N40A , OST50N65H4EWF , SGF15N90D , SGF30N60RUF , SGF30N60RUFD , SGF40N60UF , SGF40N60UFD , KGF75N65KDF , SGF80N60UF , SGF80N60UFD , SGH10N120RUF , SGH10N120RUFD , SGH10N60RUFD , SGH13N60UFD , SGH15N120RUF , SGH15N120RUFD .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.