Справочник IGBT. SGF5N150UF

 

SGF5N150UF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGF5N150UF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF
   Тип корпуса: TO3PF
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SGF5N150UF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:292K  fairchild semi
 sgf5n150uf.pdf pdf_icon

SGF5N150UF

IGBTSGF5N150UFGeneral Description FeaturesFairchilds Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) High Speed Switchingprovides low conduction and switching losses. Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 4.7 V @ IC = 5ASGF5N150UF is designed for the Switching Power High Input ImpedanceSupply applications.ApplicationSwitching Power Supply - High Input Voltage Off-line Co

Другие IGBT... RCP10N40 , RCP10N40A , OST50N65H4EWF , SGF15N90D , SGF30N60RUF , SGF30N60RUFD , SGF40N60UF , SGF40N60UFD , IHW20N120R2 , SGF80N60UF , SGF80N60UFD , SGH10N120RUF , SGH10N120RUFD , SGH10N60RUFD , SGH13N60UFD , SGH15N120RUF , SGH15N120RUFD .

History: SRE100N065FSUD6 | 2MBI200TA-060 | MMG25H120XB6TN | IQGB228N120GB4 | FGH75T65SQDT | IXXK200N65B4

 

 
Back to Top

 


 
.