SGH25N120RUF Todos los transistores

 

SGH25N120RUF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGH25N120RUF
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 270 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 220 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 110 nC
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

SGH25N120RUF Datasheet (PDF)

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SGH25N120RUF

IGBTSGH25N120RUFShort Circuit Rated IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's RUF series of Insulated Gate Bipolar Transistors Short circuit rated 10s @ TC = 100C, VGE = 15V(IGBTs) provides low conduction and switching losses as High speed switchingwell as short circuit ruggedness. The RUF series is Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.3 V @ IC = 25Adesigned f

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History: APT100GT120JU2 | IRG6I330U | HGTG27N60C3DR | APT44GA60S | AOD5B65M1

 

 
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