SGH25N120RUF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGH25N120RUF
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 270 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 220 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 110 nC
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de SGH25N120RUF - IGBT
SGH25N120RUF Datasheet (PDF)
sgh25n120ruf.pdf
IGBTSGH25N120RUFShort Circuit Rated IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's RUF series of Insulated Gate Bipolar Transistors Short circuit rated 10s @ TC = 100C, VGE = 15V(IGBTs) provides low conduction and switching losses as High speed switchingwell as short circuit ruggedness. The RUF series is Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.3 V @ IC = 25Adesigned f
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Liste
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