Справочник IGBT. SGH25N120RUF

 

SGH25N120RUF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGH25N120RUF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 220 pF
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SGH25N120RUF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:532K  1
 sgh25n120ruf.pdf pdf_icon

SGH25N120RUF

IGBTSGH25N120RUFShort Circuit Rated IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's RUF series of Insulated Gate Bipolar Transistors Short circuit rated 10s @ TC = 100C, VGE = 15V(IGBTs) provides low conduction and switching losses as High speed switchingwell as short circuit ruggedness. The RUF series is Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.3 V @ IC = 25Adesigned f

Другие IGBT... SGH13N60UFD , SGH15N120RUF , SGH15N120RUFD , SGH15N60RUFD , SGH20N120RUF , SGH20N120RUFD , SGH20N60RUFD , SGH23N60UFD , FGD4536 , SGH30N60RUF , SGH30N60RUFD , SGH40N60UF , SGH40N60UFD , SGH5N120RUF , SGH5N120RUFD , SGH80N60UF , SGH80N60UFD .

History: AOD5B65M1 | SKW15N60 | MSG40T65FL | APT25GT120BRG | CRG40T120AK3S | FGW50N60HC | RJH60D0DPM

 

 
Back to Top

 


 
.