SGI25N40 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGI25N40
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 75 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 500(max) nS
Paquete / Cubierta: I2PAK
Búsqueda de reemplazo de SGI25N40 - IGBT
SGI25N40 Datasheet (PDF)
sgi25n40.pdf
N-CHANNEL IGBT SGI25N40FEATURESI2 - PAK* High Input Impedance* High Peak Current Capability(170A)* Easy Drive by Gate VoltageCAPPLICATIONS* STROBE FLASHG EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS SymbolCharacteristics UnitRatingVCESCollector-Emitter Voltage V400VGEGate - Emitter Voltage V 25ICContinuous Collector Current Tc = 25 25AICM Pulsed Collector Curren
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Liste
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