Справочник IGBT. SGI25N40

 

SGI25N40 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGI25N40
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 500(max) nS
   Тип корпуса: I2PAK
 

 Аналог (замена) для SGI25N40

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGI25N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  samsung
 sgi25n40.pdf pdf_icon

SGI25N40

N-CHANNEL IGBT SGI25N40FEATURESI2 - PAK* High Input Impedance* High Peak Current Capability(170A)* Easy Drive by Gate VoltageCAPPLICATIONS* STROBE FLASHG EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS SymbolCharacteristics UnitRatingVCESCollector-Emitter Voltage V400VGEGate - Emitter Voltage V 25ICContinuous Collector Current Tc = 25 25AICM Pulsed Collector Curren

Другие IGBT... SGH30N60RUF , SGH30N60RUFD , SGH40N60UF , SGH40N60UFD , SGH5N120RUF , SGH5N120RUFD , SGH80N60UF , SGH80N60UFD , CRG40T60AN3H , SGL10N60RUFD , SGL15N60RUFD , SGL160N60UFD , SGL20N60RUFD , SGL25N120RUFD , SGL30N60RUFD , SGL40N150 , SGL40N150D .

 

 
Back to Top

 


 
.