SGL10N60RUFD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGL10N60RUFD  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 75 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 17 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 107 pF

Encapsulados: TO264

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SGL10N60RUFD datasheet

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SGL10N60RUFD

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 100V Super Gate Power MOSFET SGL100N025 Rev. 1.0 Jan. 2022 www.supersemi.com.cn SGL100N025 100V N-Channel MOSFET Description Features VDS 100V The SG-MOSFET uses advanced trench MOSFET technology ID (at Vgs=10V) 200A that is uniquely optimized to provide the most efficient high Extr

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