SGL10N60RUFD - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги SGL10N60RUFD. Основные параметры


   Наименование: SGL10N60RUFD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 16 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 107 pF
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для SGL10N60RUFD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGL10N60RUFD даташит

 ..1. Size:228K  1
 sgl10n60rufd.pdf pdf_icon

SGL10N60RUFD

 9.1. Size:832K  cn super semi
 sgl100n025.pdf pdf_icon

SGL10N60RUFD

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 100V Super Gate Power MOSFET SGL100N025 Rev. 1.0 Jan. 2022 www.supersemi.com.cn SGL100N025 100V N-Channel MOSFET Description Features VDS 100V The SG-MOSFET uses advanced trench MOSFET technology ID (at Vgs=10V) 200A that is uniquely optimized to provide the most efficient high Extr

Другие IGBT... SGH30N60RUFD , SGH40N60UF , SGH40N60UFD , SGH5N120RUF , SGH5N120RUFD , SGH80N60UF , SGH80N60UFD , SGI25N40 , SGT40N60NPFDPN , SGL15N60RUFD , SGL160N60UFD , SGL20N60RUFD , SGL25N120RUFD , SGL30N60RUFD , SGL40N150 , SGL40N150D , SGL50N60RUFD .

 

 
Back to Top

 


 
.