SGL50N60RUFD Todos los transistores

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SGL50N60RUFD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGL50N60RUFD

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 600V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.2V

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 50A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 80

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO264

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SGL50N60RUFD Datasheet (PDF)

1.1. sgl50n60rufd.pdf Size:623K _fairchild_semi

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1.2. sgl50n60rufd.pdf Size:621K _igbt

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 IGBT SGL50N60RUFD Short Circuit Rated IGBT General Description Features Fairchild's RUFD series of Insulated Gate Bipolar • Short circuit rated 10us @ TC = 100°C, VGE = 15V Transistors (IGBTs) provide low conduction and switching • High speed switching losses as well as short circuit ruggedness. The RUFD • Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.2 V @ IC = 50A series is designed f

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