SGL50N60RUFD Todos los transistores

 

SGL50N60RUFD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGL50N60RUFD
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 8.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 89 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 399 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 145 nC
   Paquete / Cubierta: TO264
     - Selección de transistores por parámetros

 

SGL50N60RUFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:621K  fairchild semi
 sgl50n60rufd.pdf pdf_icon

SGL50N60RUFD

IGBTSGL50N60RUFDShort Circuit Rated IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's RUFD series of Insulated Gate Bipolar Short circuit rated 10us @ TC = 100C, VGE = 15VTransistors (IGBTs) provide low conduction and switching High speed switchinglosses as well as short circuit ruggedness. The RUFD Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.2 V @ IC = 50Aseries is designed f

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History: APT44GA60BD30 | FGB20N60SFD

 

 
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