Справочник IGBT. SGL50N60RUFD

 

SGL50N60RUFD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGL50N60RUFD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 89 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 399 pF
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для SGL50N60RUFD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGL50N60RUFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:621K  fairchild semi
 sgl50n60rufd.pdf pdf_icon

SGL50N60RUFD

IGBTSGL50N60RUFDShort Circuit Rated IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's RUFD series of Insulated Gate Bipolar Short circuit rated 10us @ TC = 100C, VGE = 15VTransistors (IGBTs) provide low conduction and switching High speed switchinglosses as well as short circuit ruggedness. The RUFD Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.2 V @ IC = 50Aseries is designed f

Другие IGBT... SGL10N60RUFD , SGL15N60RUFD , SGL160N60UFD , SGL20N60RUFD , SGL25N120RUFD , SGL30N60RUFD , SGL40N150 , SGL40N150D , SGT50T65FD1PN , SGL5N60RUFD , SGL60N90D , SGL60N90DG3 , SGP10N60RUF , SGP13N60UF , SGP13N60UFD , SGP15N60RUF , SGP20N60RUF .

History: VS-GB100TH120N | MII145-12A3 | IXBX75N170A | IXGH32N90B2 | IXXX160N65B4 | MMG450D120B6TC | 2MBI200UC-120

 

 
Back to Top

 


 
.