SGP6N60UFD Todos los transistores

 

SGP6N60UFD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGP6N60UFD
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 30 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 6 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 22 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 34 pF
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

SGP6N60UFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  samsung
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SGP6N60UFD

N-CHANNEL IGBT SGP6N60UFDFEATURESTO-220* High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.1 V (@ Ic=3A)* High Input Impedance*CO-PAK, IGBT with FRD : Trr = 35nS (typ.)APPLICATIONSC* AC & DC Motor controls* General Purpose InvertersG* Robotics , Servo Controls* Power Supply* Lamp Ballast EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating UnitsCharacteri

 5.1. Size:219K  samsung
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SGP6N60UFD

N-CHANNEL IGBT SGP6N60UFFEATURESTO-220* High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.1 V (@ Ic=3A)* High Input ImpedanceAPPLICATIONSC* AC & DC Motor controls* General Purpose Inverters* Robotics , Servo ControlsG* Power Supply* Lamp Ballast EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating UnitsCharacteristicsVCES 600 VCollector-Emitter VoltageVG

Otros transistores... SGP13N60UFD , SGP15N60RUF , SGP20N60RUF , SGP23N60UF , SGP40N60UF , SGP5N60RUF , SGP5N60RUFD , SGP6N60UF , SGT40N60FD2PN , SGR15N40L , SGR20N40L , SGR2N60UFD , SGR5N60RUF , SGR6N60UF , SGS10N60RUF , SGS10N60RUFD , SGS13N60UF .

History: STGW40H65FB | IRGP4760 | IXGX400N30A3 | IXGK60N60B2D1 | APT15GP90K | IXBF12N300 | IRGB4086

 

 
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