SGP6N60UFD - аналоги и описание IGBT

 

SGP6N60UFD - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SGP6N60UFD

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 34 pF

Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SGP6N60UFD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGP6N60UFD даташит

 ..1. Size:272K  samsung
 sgp6n60ufd.pdf pdf_icon

SGP6N60UFD

N-CHANNEL IGBT SGP6N60UFD FEATURES TO-220 * High Speed Switching * Low Saturation Voltage VCE(sat) = 2.1 V (@ Ic=3A) * High Input Impedance *CO-PAK, IGBT with FRD Trr = 35nS (typ.) APPLICATIONS C * AC & DC Motor controls * General Purpose Inverters G * Robotics , Servo Controls * Power Supply * Lamp Ballast E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating Units Characteri

 5.1. Size:219K  samsung
 sgp6n60uf.pdf pdf_icon

SGP6N60UFD

N-CHANNEL IGBT SGP6N60UF FEATURES TO-220 * High Speed Switching * Low Saturation Voltage VCE(sat) = 2.1 V (@ Ic=3A) * High Input Impedance APPLICATIONS C * AC & DC Motor controls * General Purpose Inverters * Robotics , Servo Controls G * Power Supply * Lamp Ballast E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating Units Characteristics VCES 600 V Collector-Emitter Voltage VG

Другие IGBT... SGP13N60UFD , SGP15N60RUF , SGP20N60RUF , SGP23N60UF , SGP40N60UF , SGP5N60RUF , SGP5N60RUFD , SGP6N60UF , RJH30E2DPP , SGR15N40L , SGR20N40L , SGR2N60UFD , SGR5N60RUF , SGR6N60UF , SGS10N60RUF , SGS10N60RUFD , SGS13N60UF .

History: JT100K120F2MA1E | SPD15N65T1T0TL | SGR5N60RUF | IXSX40N60BD1 | IXSH45N120B | MMIX1B20N300C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.