SGR20N40L Todos los transistores

 

SGR20N40L - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGR20N40L
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 45 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 6 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 8(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 1.4 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 900 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 60 pF
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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SGR20N40L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  1
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SGR20N40L

August 2001 IGBTSGR20N40L / SGU20N40LGeneral Description FeaturesInsulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with a trench High input impedancegate structure provide superior conduction and switching High peak current capability (150A)performance in comparison with transistors having a planar Easy gate drivegate structure. They also have wide noise immunity. These

 ..2. Size:174K  samsung
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SGR20N40L

PreliminaryN-CHANNEL IGBT SGR20N40L / SGU20N40LD-PAK I-PAKFEATURES* High Input Impedance* High Peak Current Capability (150A)* Easy Gate DriveAPPLICATIONSC*Strobe FlashG EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating UnitsCharacteristicsVCES 450 VCollector-Emitter VoltageVGES 6 VGate-Emitter VoltageICM (1) 150 APulsed Collector CurrentPC 45 WMaximum Power

Otros transistores... SGP20N60RUF , SGP23N60UF , SGP40N60UF , SGP5N60RUF , SGP5N60RUFD , SGP6N60UF , SGP6N60UFD , SGR15N40L , IHW20N135R5 , SGR2N60UFD , SGR5N60RUF , SGR6N60UF , SGS10N60RUF , SGS10N60RUFD , SGS13N60UF , SGS13N60UFD , SGS23N60UF .

History: IGC193T120T8RM | SPM1003 | IXGH30N60B4 | IRGS4064D

 

 
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