SGR20N40L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SGR20N40L  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 8(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 900 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF

Тип корпуса: DPAK

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SGR20N40L

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGR20N40L даташит

 ..1. Size:186K  1
 sgr20n40l sgu20n40l.pdf pdf_icon

SGR20N40L

August 2001 IGBT SGR20N40L / SGU20N40L General Description Features Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with a trench High input impedance gate structure provide superior conduction and switching High peak current capability (150A) performance in comparison with transistors having a planar Easy gate drive gate structure. They also have wide noise immunity. These

 ..2. Size:174K  samsung
 sgr20n40l.pdf pdf_icon

SGR20N40L

Preliminary N-CHANNEL IGBT SGR20N40L / SGU20N40L D-PAK I-PAK FEATURES * High Input Impedance * High Peak Current Capability (150A) * Easy Gate Drive APPLICATIONS C *Strobe Flash G E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating Units Characteristics VCES 450 V Collector-Emitter Voltage VGES 6 V Gate-Emitter Voltage ICM (1) 150 A Pulsed Collector Current PC 45 W Maximum Power

Другие IGBT... SGP20N60RUF, SGP23N60UF, SGP40N60UF, SGP5N60RUF, SGP5N60RUFD, SGP6N60UF, SGP6N60UFD, SGR15N40L, IHW20N135R5, SGR2N60UFD, SGR5N60RUF, SGR6N60UF, SGS10N60RUF, SGS10N60RUFD, SGS13N60UF, SGS13N60UFD, SGS23N60UF