SGR20N40L - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGR20N40L
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 8(max) V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 1.4 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 900 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF
Тип корпуса: DPAK
SGR20N40L Datasheet (PDF)
sgr20n40l sgu20n40l.pdf
August 2001 IGBTSGR20N40L / SGU20N40LGeneral Description FeaturesInsulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with a trench High input impedancegate structure provide superior conduction and switching High peak current capability (150A)performance in comparison with transistors having a planar Easy gate drivegate structure. They also have wide noise immunity. These
sgr20n40l.pdf
PreliminaryN-CHANNEL IGBT SGR20N40L / SGU20N40LD-PAK I-PAKFEATURES* High Input Impedance* High Peak Current Capability (150A)* Easy Gate DriveAPPLICATIONSC*Strobe FlashG EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating UnitsCharacteristicsVCES 450 VCollector-Emitter VoltageVGES 6 VGate-Emitter VoltageICM (1) 150 APulsed Collector CurrentPC 45 WMaximum Power
Другие IGBT... SGP20N60RUF , SGP23N60UF , SGP40N60UF , SGP5N60RUF , SGP5N60RUFD , SGP6N60UF , SGP6N60UFD , SGR15N40L , IKW30N60H3 , SGR2N60UFD , SGR5N60RUF , SGR6N60UF , SGS10N60RUF , SGS10N60RUFD , SGS13N60UF , SGS13N60UFD , SGS23N60UF .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2