Справочник IGBT. SGR20N40L

 

SGR20N40L Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGR20N40L
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 8(max) V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 900 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для SGR20N40L

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGR20N40L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  1
 sgr20n40l sgu20n40l.pdf pdf_icon

SGR20N40L

August 2001 IGBTSGR20N40L / SGU20N40LGeneral Description FeaturesInsulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with a trench High input impedancegate structure provide superior conduction and switching High peak current capability (150A)performance in comparison with transistors having a planar Easy gate drivegate structure. They also have wide noise immunity. These

 ..2. Size:174K  samsung
 sgr20n40l.pdf pdf_icon

SGR20N40L

PreliminaryN-CHANNEL IGBT SGR20N40L / SGU20N40LD-PAK I-PAKFEATURES* High Input Impedance* High Peak Current Capability (150A)* Easy Gate DriveAPPLICATIONSC*Strobe FlashG EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating UnitsCharacteristicsVCES 450 VCollector-Emitter VoltageVGES 6 VGate-Emitter VoltageICM (1) 150 APulsed Collector CurrentPC 45 WMaximum Power

Другие IGBT... SGP20N60RUF , SGP23N60UF , SGP40N60UF , SGP5N60RUF , SGP5N60RUFD , SGP6N60UF , SGP6N60UFD , SGR15N40L , IHW20N135R5 , SGR2N60UFD , SGR5N60RUF , SGR6N60UF , SGS10N60RUF , SGS10N60RUFD , SGS13N60UF , SGS13N60UFD , SGS23N60UF .

 

 
Back to Top

 


 
.