SGR2N60UFD Todos los transistores

 

SGR2N60UFD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGR2N60UFD
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 25 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 2.4 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 24 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 18 pF
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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SGR2N60UFD Datasheet (PDF)

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SGR2N60UFD

IGBT CO-PAK SGR2N60UFDFEATURESD-PAK* High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.1 V (@ Ic=1.2A)* High Input Impedance*CO-PAK, IGBT with FRD : Trr = 45nS (typ.)APPLICATIONSC* AC & DC Motor controls* General Purpose InvertersG* Robotics , Servo Controls* Power Supply* Lamp Ballast EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating UnitsCharacteris

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