SGR2N60UFD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGR2N60UFD
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 25 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 2.4 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 24 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 18 pF
Paquete / Cubierta: DPAK
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SGR2N60UFD Datasheet (PDF)
sgr2n60ufd.pdf
IGBT CO-PAK SGR2N60UFDFEATURESD-PAK* High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.1 V (@ Ic=1.2A)* High Input Impedance*CO-PAK, IGBT with FRD : Trr = 45nS (typ.)APPLICATIONSC* AC & DC Motor controls* General Purpose InvertersG* Robotics , Servo Controls* Power Supply* Lamp Ballast EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating UnitsCharacteris
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Liste
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