SGR2N60UFD Todos los transistores

 

SGR2N60UFD IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGR2N60UFD

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 25 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 2.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 24 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 18 pF

Encapsulados: DPAK

 Búsqueda de reemplazo de SGR2N60UFD IGBT

- Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SGR2N60UFD datasheet

 ..1. Size:323K  samsung
 sgr2n60ufd.pdf pdf_icon

SGR2N60UFD

IGBT CO-PAK SGR2N60UFD FEATURES D-PAK * High Speed Switching * Low Saturation Voltage VCE(sat) = 2.1 V (@ Ic=1.2A) * High Input Impedance *CO-PAK, IGBT with FRD Trr = 45nS (typ.) APPLICATIONS C * AC & DC Motor controls * General Purpose Inverters G * Robotics , Servo Controls * Power Supply * Lamp Ballast E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating Units Characteris

Otros transistores... SGP23N60UF , SGP40N60UF , SGP5N60RUF , SGP5N60RUFD , SGP6N60UF , SGP6N60UFD , SGR15N40L , SGR20N40L , CRG60T60AK3HD , SGR5N60RUF , SGR6N60UF , SGS10N60RUF , SGS10N60RUFD , SGS13N60UF , SGS13N60UFD , SGS23N60UF , SGS23N60UFD .

History: SGP5N60RUF | STGB20V60F

 

 

 

 

↑ Back to Top
.