SGR2N60UFD - аналоги и описание IGBT

 

SGR2N60UFD - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SGR2N60UFD

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 2.4 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 24 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 18 pF

Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для SGR2N60UFD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGR2N60UFD даташит

 ..1. Size:323K  samsung
 sgr2n60ufd.pdf pdf_icon

SGR2N60UFD

IGBT CO-PAK SGR2N60UFD FEATURES D-PAK * High Speed Switching * Low Saturation Voltage VCE(sat) = 2.1 V (@ Ic=1.2A) * High Input Impedance *CO-PAK, IGBT with FRD Trr = 45nS (typ.) APPLICATIONS C * AC & DC Motor controls * General Purpose Inverters G * Robotics , Servo Controls * Power Supply * Lamp Ballast E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating Units Characteris

Другие IGBT... SGP23N60UF , SGP40N60UF , SGP5N60RUF , SGP5N60RUFD , SGP6N60UF , SGP6N60UFD , SGR15N40L , SGR20N40L , CRG60T60AK3HD , SGR5N60RUF , SGR6N60UF , SGS10N60RUF , SGS10N60RUFD , SGS13N60UF , SGS13N60UFD , SGS23N60UF , SGS23N60UFD .

History: MPBW15N120BF | AOKS40B60D1 | AOK75B65H1 | MPBQ120N65GSF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.