Справочник IGBT. SGR2N60UFD

 

SGR2N60UFD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGR2N60UFD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 2.4 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 24 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 18 pF
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для SGR2N60UFD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGR2N60UFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  samsung
 sgr2n60ufd.pdf pdf_icon

SGR2N60UFD

IGBT CO-PAK SGR2N60UFDFEATURESD-PAK* High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.1 V (@ Ic=1.2A)* High Input Impedance*CO-PAK, IGBT with FRD : Trr = 45nS (typ.)APPLICATIONSC* AC & DC Motor controls* General Purpose InvertersG* Robotics , Servo Controls* Power Supply* Lamp Ballast EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating UnitsCharacteris

Другие IGBT... SGP23N60UF , SGP40N60UF , SGP5N60RUF , SGP5N60RUFD , SGP6N60UF , SGP6N60UFD , SGR15N40L , SGR20N40L , GT30F131 , SGR5N60RUF , SGR6N60UF , SGS10N60RUF , SGS10N60RUFD , SGS13N60UF , SGS13N60UFD , SGS23N60UF , SGS23N60UFD .

 

 
Back to Top

 


 
.