SGR5N60RUF Todos los transistores

 

SGR5N60RUF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGR5N60RUF
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 8 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 24 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 67 pF
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

SGR5N60RUF Datasheet (PDF)

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SGR5N60RUF

IGBTSGR5N60RUFShort Circuit Rated IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's RUF series of Insulated Gate Bipolar Transistors Short circuit rated 10us @ TC = 100C, VGE = 15V(IGBTs) provide low conduction and switching losses as High speed switchingwell as short circuit ruggedness. The RUF series is Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.2 V @ IC = 5Adesigned for ap

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History: BSM35GB120DN2 | HYG30P120H1K1 | DL2G50SH6N | MMG200DR120B | STGB19NC60HDT4 | IRG4PH50UDPBF | IXGT30N60C3D1

 

 
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