SGR5N60RUF Todos los transistores

 

SGR5N60RUF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGR5N60RUF

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 24 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 67 pF

Encapsulados: DPAK

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SGR5N60RUF datasheet

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SGR5N60RUF

IGBT SGR5N60RUF Short Circuit Rated IGBT General Description Features Fairchild's RUF series of Insulated Gate Bipolar Transistors Short circuit rated 10us @ TC = 100 C, VGE = 15V (IGBTs) provide low conduction and switching losses as High speed switching well as short circuit ruggedness. The RUF series is Low saturation voltage VCE(sat) = 2.2 V @ IC = 5A designed for ap

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History: STGW30M65DF2

 

 

 

 

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