Справочник IGBT. SGR5N60RUF

 

SGR5N60RUF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGR5N60RUF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 8 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 24 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 67 pF
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SGR5N60RUF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:586K  1
 sgr5n60ruf.pdf pdf_icon

SGR5N60RUF

IGBTSGR5N60RUFShort Circuit Rated IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's RUF series of Insulated Gate Bipolar Transistors Short circuit rated 10us @ TC = 100C, VGE = 15V(IGBTs) provide low conduction and switching losses as High speed switchingwell as short circuit ruggedness. The RUF series is Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.2 V @ IC = 5Adesigned for ap

Другие IGBT... SGP40N60UF , SGP5N60RUF , SGP5N60RUFD , SGP6N60UF , SGP6N60UFD , SGR15N40L , SGR20N40L , SGR2N60UFD , CRG15T120BNR3S , SGR6N60UF , SGS10N60RUF , SGS10N60RUFD , SGS13N60UF , SGS13N60UFD , SGS23N60UF , SGS23N60UFD , SGS5N60RUF .

History: IXGH42N30C3 | DL2G50SH6N | MMG200DR120B | IXGT30N60C3D1 | SKM100GB173D | HYG30P120H1K1 | IKY40N120CH3

 

 
Back to Top

 


 
.