SGR6N60UF Todos los transistores

 

SGR6N60UF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGR6N60UF
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 30 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 6 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 22 pF
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

SGR6N60UF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:544K  fairchild semi
 sgr6n60uf.pdf pdf_icon

SGR6N60UF

IGBTSGR6N60UFUltra-Fast IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's UF series of Insulated Gate Bipolar Transistors High speed switching(IGBTs) provides low conduction and switching losses. Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 3AThe UF series is designed for applications such as motor High input impedancecontrol and general inverters where high speed swit

Otros transistores... SGP5N60RUF , SGP5N60RUFD , SGP6N60UF , SGP6N60UFD , SGR15N40L , SGR20N40L , SGR2N60UFD , SGR5N60RUF , YGW40N65F1 , SGS10N60RUF , SGS10N60RUFD , SGS13N60UF , SGS13N60UFD , SGS23N60UF , SGS23N60UFD , SGS5N60RUF , SGS5N60RUFD .

History: NGTB25N120FL2 | MMG100S060B6EN | APTGF90DA60T | 6MBP25VBA120-50 | DM2G200SH12A | AUIRG4BC30S-S | SKM400GA124D

 

 
Back to Top

 


 
.