SGR6N60UF Todos los transistores

 

SGR6N60UF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGR6N60UF

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 30 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 22 pF

Encapsulados: DPAK

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SGR6N60UF datasheet

 ..1. Size:544K  fairchild semi
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SGR6N60UF

IGBT SGR6N60UF Ultra-Fast IGBT General Description Features Fairchild's UF series of Insulated Gate Bipolar Transistors High speed switching (IGBTs) provides low conduction and switching losses. Low saturation voltage VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 3A The UF series is designed for applications such as motor High input impedance control and general inverters where high speed swit

Otros transistores... SGP5N60RUF , SGP5N60RUFD , SGP6N60UF , SGP6N60UFD , SGR15N40L , SGR20N40L , SGR2N60UFD , SGR5N60RUF , NGD8201N , SGS10N60RUF , SGS10N60RUFD , SGS13N60UF , SGS13N60UFD , SGS23N60UF , SGS23N60UFD , SGS5N60RUF , SGS5N60RUFD .

History: F3L300R12MT4_B22 | NCE40TD120BT | MGS05N60D | MPBW25N120B | JT05N065RED | JT075K120F2MA1E | NCE40TD120WT

 

 

 

 

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