SGR6N60UF Todos los transistores

 

SGR6N60UF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGR6N60UF
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 30 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 6 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 22 pF
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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SGR6N60UF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:544K  fairchild semi
 sgr6n60uf.pdf pdf_icon

SGR6N60UF

IGBTSGR6N60UFUltra-Fast IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's UF series of Insulated Gate Bipolar Transistors High speed switching(IGBTs) provides low conduction and switching losses. Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 3AThe UF series is designed for applications such as motor High input impedancecontrol and general inverters where high speed swit

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History: IXSA16N60 | STGD4M65DF2 | 1MBG10D-060 | APT45GP120B2DQ2G | IKP08N65F5 | AOGF40B65H2AL | APTGT50X120BTP3

 

 
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