Справочник IGBT. SGR6N60UF

 

SGR6N60UF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGR6N60UF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 22 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 15 nC
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для SGR6N60UF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGR6N60UF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:544K  fairchild semi
 sgr6n60uf.pdf pdf_icon

SGR6N60UF

IGBTSGR6N60UFUltra-Fast IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's UF series of Insulated Gate Bipolar Transistors High speed switching(IGBTs) provides low conduction and switching losses. Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 3AThe UF series is designed for applications such as motor High input impedancecontrol and general inverters where high speed swit

Другие IGBT... SGP5N60RUF , SGP5N60RUFD , SGP6N60UF , SGP6N60UFD , SGR15N40L , SGR20N40L , SGR2N60UFD , SGR5N60RUF , NGD8201N , SGS10N60RUF , SGS10N60RUFD , SGS13N60UF , SGS13N60UFD , SGS23N60UF , SGS23N60UFD , SGS5N60RUF , SGS5N60RUFD .

 

 
Back to Top

 


 
.