SGU20N40L - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGU20N40L
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 45 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 6 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 1.4 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 1700 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 50 pF
Paquete / Cubierta: IPAK
Búsqueda de reemplazo de SGU20N40L - IGBT
SGU20N40L Datasheet (PDF)
sgr20n40l sgu20n40l.pdf
August 2001 IGBTSGR20N40L / SGU20N40LGeneral Description FeaturesInsulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with a trench High input impedancegate structure provide superior conduction and switching High peak current capability (150A)performance in comparison with transistors having a planar Easy gate drivegate structure. They also have wide noise immunity. These
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Liste
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