SGU20N40L Todos los transistores

 

SGU20N40L IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGU20N40L

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 45 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 6 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 1700 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 50 pF

Encapsulados: IPAK

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SGU20N40L datasheet

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SGU20N40L

August 2001 IGBT SGR20N40L / SGU20N40L General Description Features Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with a trench High input impedance gate structure provide superior conduction and switching High peak current capability (150A) performance in comparison with transistors having a planar Easy gate drive gate structure. They also have wide noise immunity. These

Otros transistores... SGS23N60UF , SGS23N60UFD , SGS5N60RUF , SGS5N60RUFD , SGS6N60UF , SGS6N60UFD , SGU15N40L , SGU1N60XFD , RJH60F7BDPQ-A0 , SGW13N60UF , SGW13N60UFD , SGW23N60UF , SGW5N60RUF , SGW5N60RUFD , SGW6N60UF , SGW6N60UFD , HIH30N140IH-DB .

History: VS-100MT060WSP | YGW75N65F1 | SIGC03T60E | TGH40N60F2D | STGB19NC60H | VS-ETL015Y120H | TT030K065EQ

 

 

 

 

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