SGU20N40L - аналоги и описание IGBT

 

SGU20N40L - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SGU20N40L

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 1700 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 50 pF

Тип корпуса: IPAK

 Аналог (замена) для SGU20N40L

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGU20N40L даташит

 ..1. Size:186K  1
 sgr20n40l sgu20n40l.pdf pdf_icon

SGU20N40L

August 2001 IGBT SGR20N40L / SGU20N40L General Description Features Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with a trench High input impedance gate structure provide superior conduction and switching High peak current capability (150A) performance in comparison with transistors having a planar Easy gate drive gate structure. They also have wide noise immunity. These

Другие IGBT... SGS23N60UF , SGS23N60UFD , SGS5N60RUF , SGS5N60RUFD , SGS6N60UF , SGS6N60UFD , SGU15N40L , SGU1N60XFD , RJH60F7BDPQ-A0 , SGW13N60UF , SGW13N60UFD , SGW23N60UF , SGW5N60RUF , SGW5N60RUFD , SGW6N60UF , SGW6N60UFD , HIH30N140IH-DB .

History: SGP23N60UF | SII150N12 | STGB19NC60W | STGWT40H65DFB | YGW15N120T3 | SGP15N60RUF | XP035PJE120AT1B2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.