Справочник IGBT. SGU20N40L

 

SGU20N40L Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGU20N40L
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 1700 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 50 pF
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для SGU20N40L

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGU20N40L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  1
 sgr20n40l sgu20n40l.pdf pdf_icon

SGU20N40L

August 2001 IGBTSGR20N40L / SGU20N40LGeneral Description FeaturesInsulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with a trench High input impedancegate structure provide superior conduction and switching High peak current capability (150A)performance in comparison with transistors having a planar Easy gate drivegate structure. They also have wide noise immunity. These

Другие IGBT... SGS23N60UF , SGS23N60UFD , SGS5N60RUF , SGS5N60RUFD , SGS6N60UF , SGS6N60UFD , SGU15N40L , SGU1N60XFD , STGB10NB37LZ , SGW13N60UF , SGW13N60UFD , SGW23N60UF , SGW5N60RUF , SGW5N60RUFD , SGW6N60UF , SGW6N60UFD , HIH30N140IH-DB .

 

 
Back to Top

 


 
.