SGW23N60UF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGW23N60UF
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 23 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 65 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 48 nC
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de SGW23N60UF - IGBT
SGW23N60UF Datasheet (PDF)
sgw23n60uf.pdf
N-CHANNEL IGBT SGW23N60UFFEATURESD2-PAK* High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 1.95 V (@ Ic=12A)* High Input ImpedanceAPPLICATIONSC* AC & DC Motor controls* General Purpose Inverters* Robotics , Servo ControlsG* Power Supply* Lamp Ballast EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating UnitsCharacteristicsVCES 600 VCollector-Emitter Voltage
sgw23n60ufd.pdf
N-CHANNEL IGBT SGW23N60UFDFEATURESD2-PAK* High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 1.95 V (@ Ic=12A)* High Input Impedance*CO-PAK, IGBT with FRD : Trr = 42nS (typ.)APPLICATIONSC* AC & DC Motor controls* General Purpose InvertersG* Robotics , Servo Controls* Power Supply* Lamp Ballast EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating UnitsCharacte
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Liste
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