SGW23N60UF Todos los transistores

 

SGW23N60UF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGW23N60UF

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 65 pF

Encapsulados: TO263

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SGW23N60UF datasheet

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SGW23N60UF

N-CHANNEL IGBT SGW23N60UF FEATURES D2-PAK * High Speed Switching * Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.95 V (@ Ic=12A) * High Input Impedance APPLICATIONS C * AC & DC Motor controls * General Purpose Inverters * Robotics , Servo Controls G * Power Supply * Lamp Ballast E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating Units Characteristics VCES 600 V Collector-Emitter Voltage

 0.1. Size:270K  samsung
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SGW23N60UF

N-CHANNEL IGBT SGW23N60UFD FEATURES D2-PAK * High Speed Switching * Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.95 V (@ Ic=12A) * High Input Impedance *CO-PAK, IGBT with FRD Trr = 42nS (typ.) APPLICATIONS C * AC & DC Motor controls * General Purpose Inverters G * Robotics , Servo Controls * Power Supply * Lamp Ballast E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating Units Characte

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History: STGWA25M120DF3 | VS-GB70NA60UF | SII75N12 | SRE40N065FSUDG | SGL40N150D | TGAN40S160FD | YGW50N120FP

 

 

 

 

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