SGW23N60UF Todos los transistores

 

SGW23N60UF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGW23N60UF
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 23 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 65 pF
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

SGW23N60UF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  samsung
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SGW23N60UF

N-CHANNEL IGBT SGW23N60UFFEATURESD2-PAK* High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 1.95 V (@ Ic=12A)* High Input ImpedanceAPPLICATIONSC* AC & DC Motor controls* General Purpose Inverters* Robotics , Servo ControlsG* Power Supply* Lamp Ballast EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating UnitsCharacteristicsVCES 600 VCollector-Emitter Voltage

 0.1. Size:270K  samsung
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SGW23N60UF

N-CHANNEL IGBT SGW23N60UFDFEATURESD2-PAK* High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 1.95 V (@ Ic=12A)* High Input Impedance*CO-PAK, IGBT with FRD : Trr = 42nS (typ.)APPLICATIONSC* AC & DC Motor controls* General Purpose InvertersG* Robotics , Servo Controls* Power Supply* Lamp Ballast EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating UnitsCharacte

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History: TT060U065FB | DM2G150SH12AE | APT15GT60KR | SPM1003

 

 
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