Справочник IGBT. SGW23N60UF

 

SGW23N60UF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGW23N60UF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 23 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 65 pF
   Тип корпуса: TO263
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SGW23N60UF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  samsung
 sgw23n60uf.pdf pdf_icon

SGW23N60UF

N-CHANNEL IGBT SGW23N60UFFEATURESD2-PAK* High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 1.95 V (@ Ic=12A)* High Input ImpedanceAPPLICATIONSC* AC & DC Motor controls* General Purpose Inverters* Robotics , Servo ControlsG* Power Supply* Lamp Ballast EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating UnitsCharacteristicsVCES 600 VCollector-Emitter Voltage

 0.1. Size:270K  samsung
 sgw23n60ufd.pdf pdf_icon

SGW23N60UF

N-CHANNEL IGBT SGW23N60UFDFEATURESD2-PAK* High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 1.95 V (@ Ic=12A)* High Input Impedance*CO-PAK, IGBT with FRD : Trr = 42nS (typ.)APPLICATIONSC* AC & DC Motor controls* General Purpose InvertersG* Robotics , Servo Controls* Power Supply* Lamp Ballast EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating UnitsCharacte

Другие IGBT... SGS5N60RUFD , SGS6N60UF , SGS6N60UFD , SGU15N40L , SGU1N60XFD , SGU20N40L , SGW13N60UF , SGW13N60UFD , TGPF30N43P , SGW5N60RUF , SGW5N60RUFD , SGW6N60UF , SGW6N60UFD , HIH30N140IH-DB , HIA50N65IH-SA , HIA30N140IH-DA , SKM100GAL123D .

History: SPM1003 | APT15GT60KR | TT060U065FB | DM2G150SH12AE

 

 
Back to Top

 


 
.