SGW23N60UF - аналоги и описание IGBT

 

SGW23N60UF - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SGW23N60UF

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 23 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 65 pF

Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для SGW23N60UF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGW23N60UF даташит

 ..1. Size:230K  samsung
 sgw23n60uf.pdf pdf_icon

SGW23N60UF

N-CHANNEL IGBT SGW23N60UF FEATURES D2-PAK * High Speed Switching * Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.95 V (@ Ic=12A) * High Input Impedance APPLICATIONS C * AC & DC Motor controls * General Purpose Inverters * Robotics , Servo Controls G * Power Supply * Lamp Ballast E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating Units Characteristics VCES 600 V Collector-Emitter Voltage

 0.1. Size:270K  samsung
 sgw23n60ufd.pdf pdf_icon

SGW23N60UF

N-CHANNEL IGBT SGW23N60UFD FEATURES D2-PAK * High Speed Switching * Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.95 V (@ Ic=12A) * High Input Impedance *CO-PAK, IGBT with FRD Trr = 42nS (typ.) APPLICATIONS C * AC & DC Motor controls * General Purpose Inverters G * Robotics , Servo Controls * Power Supply * Lamp Ballast E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating Units Characte

Другие IGBT... SGS5N60RUFD , SGS6N60UF , SGS6N60UFD , SGU15N40L , SGU1N60XFD , SGU20N40L , SGW13N60UF , SGW13N60UFD , CRG75T60AK3HD , SGW5N60RUF , SGW5N60RUFD , SGW6N60UF , SGW6N60UFD , HIH30N140IH-DB , HIA50N65IH-SA , HIA30N140IH-DA , SKM100GAL123D .

History: SPT40N120T1BT8TL | NGTB30N65IHL2WG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.