SGW5N60RUFD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGW5N60RUFD
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 8 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 18 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 60 pF
Paquete / Cubierta: TO263
- Selección de transistores por parámetros
SGW5N60RUFD Datasheet (PDF)
sgw5n60rufd.pdf
CO-PAK IGBT SGW5N60RUFDFEATURESD2-PAK* Short Circuit rated 10uS @Tc=100 * High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.0 V @ Ic=5A* High Input Impedance* CO-PAK, IGBT with FRD : Trr = 37nS (Typ.)CAPPLICATIONS* AC & DC Motor controlsG* General Purpose Inverters* Robotics , Servo Controls* Power Supply E* Lamp BallastABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
sgw5n60ruf.pdf
N-CHANNEL IGBT SGW5N60RUFFEATURESD2-PAK* Short Circuit rated 10uS @Tc=100 * High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.0 V @ Ic=5A* High Input ImpedanceAPPLICATIONSC* AC & DC Motor controls* General Purpose Inverters* Robotics , Servo ControlsG* Power Supply* Lamp Ballast EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating UnitsCharacteristicsVCES
Otros transistores... SGS6N60UFD , SGU15N40L , SGU1N60XFD , SGU20N40L , SGW13N60UF , SGW13N60UFD , SGW23N60UF , SGW5N60RUF , STGB10NB37LZ , SGW6N60UF , SGW6N60UFD , HIH30N140IH-DB , HIA50N65IH-SA , HIA30N140IH-DA , SKM100GAL123D , SKM100GAR123D , SKM100GAX173D .
History: IXXP50N60B3 | IXDH30N120AU1 | CT20VML-8
History: IXXP50N60B3 | IXDH30N120AU1 | CT20VML-8
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
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