SGW5N60RUFD Todos los transistores

 

SGW5N60RUFD IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGW5N60RUFD

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 18 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 60 pF

Encapsulados: TO263

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SGW5N60RUFD datasheet

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SGW5N60RUFD

CO-PAK IGBT SGW5N60RUFD FEATURES D2-PAK * Short Circuit rated 10uS @Tc=100 * High Speed Switching * Low Saturation Voltage VCE(sat) = 2.0 V @ Ic=5A * High Input Impedance * CO-PAK, IGBT with FRD Trr = 37nS (Typ.) C APPLICATIONS * AC & DC Motor controls G * General Purpose Inverters * Robotics , Servo Controls * Power Supply E * Lamp Ballast ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

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SGW5N60RUFD

N-CHANNEL IGBT SGW5N60RUF FEATURES D2-PAK * Short Circuit rated 10uS @Tc=100 * High Speed Switching * Low Saturation Voltage VCE(sat) = 2.0 V @ Ic=5A * High Input Impedance APPLICATIONS C * AC & DC Motor controls * General Purpose Inverters * Robotics , Servo Controls G * Power Supply * Lamp Ballast E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating Units Characteristics VCES

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History: TA49021 | TGAN40N135FD | XD075H065CX1S3 | SPT25N120T1T8TL | SRE100N065FSU2D6 | RJH60D5DPK

 

 

 

 

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