Справочник IGBT. SGW5N60RUFD

 

SGW5N60RUFD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGW5N60RUFD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 8 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF
   Тип корпуса: TO263
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SGW5N60RUFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:325K  samsung
 sgw5n60rufd.pdf pdf_icon

SGW5N60RUFD

CO-PAK IGBT SGW5N60RUFDFEATURESD2-PAK* Short Circuit rated 10uS @Tc=100 * High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.0 V @ Ic=5A* High Input Impedance* CO-PAK, IGBT with FRD : Trr = 37nS (Typ.)CAPPLICATIONS* AC & DC Motor controlsG* General Purpose Inverters* Robotics , Servo Controls* Power Supply E* Lamp BallastABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 4.1. Size:281K  samsung
 sgw5n60ruf.pdf pdf_icon

SGW5N60RUFD

N-CHANNEL IGBT SGW5N60RUFFEATURESD2-PAK* Short Circuit rated 10uS @Tc=100 * High Speed Switching* Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.0 V @ Ic=5A* High Input ImpedanceAPPLICATIONSC* AC & DC Motor controls* General Purpose Inverters* Robotics , Servo ControlsG* Power Supply* Lamp Ballast EABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating UnitsCharacteristicsVCES

Другие IGBT... SGS6N60UFD , SGU15N40L , SGU1N60XFD , SGU20N40L , SGW13N60UF , SGW13N60UFD , SGW23N60UF , SGW5N60RUF , STGB10NB37LZ , SGW6N60UF , SGW6N60UFD , HIH30N140IH-DB , HIA50N65IH-SA , HIA30N140IH-DA , SKM100GAL123D , SKM100GAR123D , SKM100GAX173D .

History: MM60G3U65B | BSM300GB120DLC | IXBX28N300HV | 1MBI300N-120 | MMG400D060B6TC | IXXH50N60C3 | IXGA48N60C3

 

 
Back to Top

 


 
.