SGW5N60RUFD - аналоги и описание IGBT

 

SGW5N60RUFD - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SGW5N60RUFD

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 8 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF

Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для SGW5N60RUFD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGW5N60RUFD даташит

 ..1. Size:325K  samsung
 sgw5n60rufd.pdf pdf_icon

SGW5N60RUFD

CO-PAK IGBT SGW5N60RUFD FEATURES D2-PAK * Short Circuit rated 10uS @Tc=100 * High Speed Switching * Low Saturation Voltage VCE(sat) = 2.0 V @ Ic=5A * High Input Impedance * CO-PAK, IGBT with FRD Trr = 37nS (Typ.) C APPLICATIONS * AC & DC Motor controls G * General Purpose Inverters * Robotics , Servo Controls * Power Supply E * Lamp Ballast ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 4.1. Size:281K  samsung
 sgw5n60ruf.pdf pdf_icon

SGW5N60RUFD

N-CHANNEL IGBT SGW5N60RUF FEATURES D2-PAK * Short Circuit rated 10uS @Tc=100 * High Speed Switching * Low Saturation Voltage VCE(sat) = 2.0 V @ Ic=5A * High Input Impedance APPLICATIONS C * AC & DC Motor controls * General Purpose Inverters * Robotics , Servo Controls G * Power Supply * Lamp Ballast E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating Units Characteristics VCES

Другие IGBT... SGS6N60UFD , SGU15N40L , SGU1N60XFD , SGU20N40L , SGW13N60UF , SGW13N60UFD , SGW23N60UF , SGW5N60RUF , GT30F133 , SGW6N60UF , SGW6N60UFD , HIH30N140IH-DB , HIA50N65IH-SA , HIA30N140IH-DA , SKM100GAL123D , SKM100GAR123D , SKM100GAX173D .

History: TGAN40N135FD | RJH60D5DPK | SPT25N120T1T8TL | XD075H065CX1S3 | SRE100N065FSU2D6

 

 

 

 

↑ Back to Top
.