SKM100GAR123D Todos los transistores

 

SKM100GAR123D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SKM100GAR123D

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 700 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 70 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 720 pF

Encapsulados: MODULE

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SKM100GAR123D datasheet

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SKM100GAR123D

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SKM100GAR123D

SKM100GAL12T4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 160 A Tj = 175 C Tc =80 C 123 A ICnom 100 A ICRM ICRM = 3xICnom 300 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 2 tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Fast IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 121 A Tj = 175 C SKM100GAL12T

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SKM100GAR123D

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SKM100GAR123D

SEMITRANS M Absolute Maximum Ratings Values IGBT Modules Symbol Conditions 1) Units VCES 1700 V VCGR RGE = 20 k 1700 V SKM 100 GAX 173 D 6) IC Tcase = 25/80 C 110 / 75 A SKM 100 GAY 173 D 6) ICM Tcase = 25/80 C; tp = 1 ms 220 / 150 A VGES 20 V Ptot per IGBT/Diode, Tcase = 25 C 625 / 310 W Tj, (Tstg) 40 ... +150 (125) C Visol AC, 1 min. 4000 V humidity DIN 40 04

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History: VS-GB400AH120U | SKM145GAR123D | SKM145GAX123D | VS-GB50LP120N | AP50G60SW | VS-GB75LA60UF | SGF80N60UF

 

 

 

 

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