SKM100GAR123D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SKM100GAR123D
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 700 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 720 pF
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
SKM100GAR123D Datasheet (PDF)
skm100gal12t4.pdf
SKM100GAL12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 160 ATj = 175 CTc =80C 123 AICnom 100 AICRM ICRM = 3xICnom 300 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS 2tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 121 ATj = 175 CSKM100GAL12T
skm100gax173d skm100gay173d.pdf
SEMITRANS MAbsolute Maximum RatingsValuesIGBT ModulesSymbol Conditions 1)UnitsVCES 1700 VVCGR RGE = 20 k 1700 V SKM 100 GAX 173 D 6)IC Tcase = 25/80 C 110 / 75 ASKM 100 GAY 173 D 6)ICM Tcase = 25/80 C; tp = 1 ms 220 / 150 AVGES 20 VPtot per IGBT/Diode, Tcase = 25 C 625 / 310 WTj, (Tstg) 40 ... +150 (125) CVisol AC, 1 min. 4000 Vhumidity DIN 40 04
Другие IGBT... SGW5N60RUF , SGW5N60RUFD , SGW6N60UF , SGW6N60UFD , HIH30N140IH-DB , HIA50N65IH-SA , HIA30N140IH-DA , SKM100GAL123D , IRG4PC50UD , SKM100GAX173D , SKM100GAY173D , SKM100GB063D , SKM100GB123D , SKM100GB124D , SKM100GB173D , SKM100GD063DL , SKM145GAL063DN .
History: APTGT75SK120D1 | APTGT600U170D4
History: APTGT75SK120D1 | APTGT600U170D4
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet