SKM100GD063DL Todos los transistores

 

SKM100GD063DL - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKM100GD063DL
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 450 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 130 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 600 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

SKM100GD063DL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:778K  semikron
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History: BSM600GA120DLC | DL2G75SH6A | DL2G50SH6A | HGT1S3N60B3DS | STGE50NC60WD | 2MBI200TA-060 | NGTB25N120LWG

 

 
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