SKM100GD063DL - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: SKM100GD063DL
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 130 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 600 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SKM100GD063DL
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SKM100GD063DL даташит
Другие IGBT... SKM100GAL123D , SKM100GAR123D , SKM100GAX173D , SKM100GAY173D , SKM100GB063D , SKM100GB123D , SKM100GB124D , SKM100GB173D , MBQ40T65FDSC , SKM145GAL063DN , SKM145GAL123D , SKM145GAL124DN , SKM145GAL174DN , SKM145GAR123D , SKM145GAX123D , SKM145GAY123D , SKM145GB063DN .
History: STGW45NC60WD | SPT25N120T1T8TL | XD075H065CX1S3 | SRE100N065FSU2D6 | TGAN40N135FD | RJH60D5DPK | SGW5N60RUFD
History: STGW45NC60WD | SPT25N120T1T8TL | XD075H065CX1S3 | SRE100N065FSU2D6 | TGAN40N135FD | RJH60D5DPK | SGW5N60RUFD
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337













