Справочник IGBT. SKM100GD063DL

 

SKM100GD063DL Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM100GD063DL
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 130 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 600 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SKM100GD063DL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:778K  semikron
 skm100gd063dl.pdf pdf_icon

SKM100GD063DL

 7.1. Size:788K  semikron
 skm100gb176d.pdf pdf_icon

SKM100GD063DL

 7.2. Size:796K  semikron
 skm100gb063d.pdf pdf_icon

SKM100GD063DL

 7.3. Size:564K  semikron
 skm100gar123d.pdf pdf_icon

SKM100GD063DL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SKM100GAL123D , SKM100GAR123D , SKM100GAX173D , SKM100GAY173D , SKM100GB063D , SKM100GB123D , SKM100GB124D , SKM100GB173D , IKW40T120 , SKM145GAL063DN , SKM145GAL123D , SKM145GAL124DN , SKM145GAL174DN , SKM145GAR123D , SKM145GAX123D , SKM145GAY123D , SKM145GB063DN .

History: IKW40N65ES5 | 2MBI200TA-060 | MMG400Q060B6EN | 2MBI150VB-120-50 | STGE50NC60WD | IXGT10N170

 

 
Back to Top

 


 
.