SKM145GAY123D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM145GAY123D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 830 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 145 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1000 pF
Encapsulados: MODULE
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SKM145GAY123D datasheet
skm145gax123d skm145gay123d.pdf
SEMITRANS M Absolute Maximum Ratings Values IGBT Modules Symbol Conditions 1) Units VCES 1200 V VCGR RGE = 20 k 1200 V SKM 145 GAX 123 D 6) IC Tcase = 25/80 C 145 / 110 A SKM 145 GAY 123 D 6) ICM Tcase = 25/80 C; tp = 1 ms 290 / 220 A VGES 20 V Ptot per IGBT, Tcase = 25 C 830 W Tj, (Tstg) 40 ... +150 (125) C Visol AC, 1 min. 2500 V humidity DIN 40 040 Class F
Otros transistores... SKM100GB173D , SKM100GD063DL , SKM145GAL063DN , SKM145GAL123D , SKM145GAL124DN , SKM145GAL174DN , SKM145GAR123D , SKM145GAX123D , IKW40N65WR5 , SKM145GB063DN , SKM145GB123D , SKM145GB124D , SKM145GB124DN , SKM145GB174DN , SKM150GAL123D , SKM150GAR123D , SKM150GB063D .
History: SGF80N60UF | SKM145GAR123D | SKM145GAX123D | VS-GB400AH120U | AP50G60SW | VS-GB75LA60UF | VS-GB50LP120N
History: SGF80N60UF | SKM145GAR123D | SKM145GAX123D | VS-GB400AH120U | AP50G60SW | VS-GB75LA60UF | VS-GB50LP120N
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IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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