SKM145GAY123D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM145GAY123D
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 830
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 145
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.5
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 80
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 1000
Paquete / Cubierta: MODULE
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SKM145GAY123D Datasheet (PDF)
skm145gax123d skm145gay123d.pdf
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SEMITRANS MAbsolute Maximum RatingsValuesIGBT ModulesSymbol Conditions 1)UnitsVCES 1200 VVCGR RGE = 20 k 1200 V SKM 145 GAX 123 D 6)IC Tcase = 25/80 C 145 / 110 ASKM 145 GAY 123 D 6)ICM Tcase = 25/80 C; tp = 1 ms 290 / 220 AVGES 20 VPtot per IGBT, Tcase = 25 C 830 WTj, (Tstg) 40 ... +150 (125) CVisol AC, 1 min. 2500 Vhumidity DIN 40 040 Class F
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Liste
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