SKM145GAY123D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SKM145GAY123D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 830 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 145 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1000 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE

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SKM145GAY123D Datasheet (PDF)

..1. Size:2747K semikron
skm145gax123d skm145gay123d.pdf

SEMITRANS MAbsolute Maximum RatingsValuesIGBT ModulesSymbol Conditions 1)UnitsVCES 1200 VVCGR RGE = 20 k 1200 V SKM 145 GAX 123 D 6)IC Tcase = 25/80 C 145 / 110 ASKM 145 GAY 123 D 6)ICM Tcase = 25/80 C; tp = 1 ms 290 / 220 AVGES 20 VPtot per IGBT, Tcase = 25 C 830 WTj, (Tstg) 40 ... +150 (125) CVisol AC, 1 min. 2500 Vhumidity DIN 40 040 Class F

6.1. Size:641K semikron
skm145gal124dn skm145gb124dn.pdf