SKM145GAY123D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SKM145GAY123D
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 145 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1000 pF
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
SKM145GAY123D Datasheet (PDF)
skm145gax123d skm145gay123d.pdf
SEMITRANS MAbsolute Maximum RatingsValuesIGBT ModulesSymbol Conditions 1)UnitsVCES 1200 VVCGR RGE = 20 k 1200 V SKM 145 GAX 123 D 6)IC Tcase = 25/80 C 145 / 110 ASKM 145 GAY 123 D 6)ICM Tcase = 25/80 C; tp = 1 ms 290 / 220 AVGES 20 VPtot per IGBT, Tcase = 25 C 830 WTj, (Tstg) 40 ... +150 (125) CVisol AC, 1 min. 2500 Vhumidity DIN 40 040 Class F
Другие IGBT... SKM100GB173D , SKM100GD063DL , SKM145GAL063DN , SKM145GAL123D , SKM145GAL124DN , SKM145GAL174DN , SKM145GAR123D , SKM145GAX123D , IRG4PF50W , SKM145GB063DN , SKM145GB123D , SKM145GB124D , SKM145GB124DN , SKM145GB174DN , SKM150GAL123D , SKM150GAR123D , SKM150GB063D .
History: SKM800GA176D | MMG200DR120B | IXGT30N60C3D1 | HYG30P120H1K1 | RJH1CM5DPQ-E0 | IRGP4068D-EPBF | DL2G50SH6N
History: SKM800GA176D | MMG200DR120B | IXGT30N60C3D1 | HYG30P120H1K1 | RJH1CM5DPQ-E0 | IRGP4068D-EPBF | DL2G50SH6N
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet