SKM145GB063DN - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM145GB063DN
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 700
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 200
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.1
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 65
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 1000
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de SKM145GB063DN - IGBT
SKM145GB063DN Datasheet (PDF)
skm145gb124d.pdf
SEMITRANS MAbsolute Maximum RatingsValuesLow Loss IGBT ModulesSymbol Conditions 1)UnitsVCES 1200 VVCGR RGE = 20 k 1200 V SKM 145 GB 124 DIC Tcase = 25/70 C 190 / 145 AICM Tcase = 25/70 C; tp = 1 ms 380 / 290 AVGES 20 VPtot per IGBT, Tcase = 25 C 800 WTj, (Tstg) 40 ... + 150 (125) CVisol AC, 1 min. 2 500 Vhumidity DIN 40040 Class Fclimate DIN IEC
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Liste
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