SKM145GB063DN - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: SKM145GB063DN
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 700 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1000 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SKM145GB063DN
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SKM145GB063DN даташит
Другие IGBT... SKM100GD063DL , SKM145GAL063DN , SKM145GAL123D , SKM145GAL124DN , SKM145GAL174DN , SKM145GAR123D , SKM145GAX123D , SKM145GAY123D , GT30F125 , SKM145GB123D , SKM145GB124D , SKM145GB124DN , SKM145GB174DN , SKM150GAL123D , SKM150GAR123D , SKM150GB063D , SKM150GB123D .
History: STGB18N40LZT4 | VS-GB600AH120N | T0800EB45G
History: STGB18N40LZT4 | VS-GB600AH120N | T0800EB45G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055