SKM145GB124D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM145GB124D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 800 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 190 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1000 pF
Encapsulados: MODULE
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SKM145GB124D datasheet
skm145gb124d.pdf
SEMITRANS M Absolute Maximum Ratings Values Low Loss IGBT Modules Symbol Conditions 1) Units VCES 1200 V VCGR RGE = 20 k 1200 V SKM 145 GB 124 D IC Tcase = 25/70 C 190 / 145 A ICM Tcase = 25/70 C; tp = 1 ms 380 / 290 A VGES 20 V Ptot per IGBT, Tcase = 25 C 800 W Tj, (Tstg) 40 ... + 150 (125) C Visol AC, 1 min. 2 500 V humidity DIN 40040 Class F climate DIN IEC
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History: SGS23N60UFD | SGS6N60UF | AIKB20N60CT
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