SKM145GB124D - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: SKM145GB124D
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 800 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 190 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1000 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SKM145GB124D
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SKM145GB124D даташит
skm145gb124d.pdf
SEMITRANS M Absolute Maximum Ratings Values Low Loss IGBT Modules Symbol Conditions 1) Units VCES 1200 V VCGR RGE = 20 k 1200 V SKM 145 GB 124 D IC Tcase = 25/70 C 190 / 145 A ICM Tcase = 25/70 C; tp = 1 ms 380 / 290 A VGES 20 V Ptot per IGBT, Tcase = 25 C 800 W Tj, (Tstg) 40 ... + 150 (125) C Visol AC, 1 min. 2 500 V humidity DIN 40040 Class F climate DIN IEC
Другие IGBT... SKM145GAL123D , SKM145GAL124DN , SKM145GAL174DN , SKM145GAR123D , SKM145GAX123D , SKM145GAY123D , SKM145GB063DN , SKM145GB123D , BT60T60ANFK , SKM145GB124DN , SKM145GB174DN , SKM150GAL123D , SKM150GAR123D , SKM150GB063D , SKM150GB123D , SKM150GB124D , SKM150GB125D .
History: SGS6N60UF | SGS23N60UFD
History: SGS6N60UF | SGS23N60UFD
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055 | irfp260n | 2n2222 datasheet