SKM195GAL062D Todos los transistores

 

SKM195GAL062D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKM195GAL062D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 700 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 230 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1300 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

SKM195GAL062D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:137K  semikron
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SKM195GAL062D

SEMITRANS MAbsolute Maximum RatingsValuesPT-IGBT ModulesSymbol Conditions 1)UnitsVCES 600 VVCGR RGE = 20 k 600 V SKM 195 GB 062 DIC Tcase = 25/60 C 230 / 195 ASKM 195 GAL 062 D 6)ICM Tcase = 25/60 C; tp = 1 ms 460 / 390 AVGES 20 VPtot per IGBT, Tcase = 25 C 700 WTj, (Tstg) 40 ... +150 (125) CVisol AC, 1 min. 2 500 Vhumidity DIN 40 040 Class Fcl

 3.1. Size:668K  semikron
skm195gal063dn skm195gar063dn skm195gb063dn.pdf pdf_icon

SKM195GAL062D

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skm195gal124dn skm195gb124dn.pdf pdf_icon

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Otros transistores... SKM150GAL123D , SKM150GAR123D , SKM150GB063D , SKM150GB123D , SKM150GB124D , SKM150GB125D , SKM150GB173D , SKM150GB174D , IHW15N120R3 , SKM195GAL063DN , SKM195GAL124DN , SKM195GAR063DN , SKM195GB062D , SKM195GB063DN , SKM195GB124DN , SKM200GA123D , SKM200GAL123D .

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