SKM195GAL062D - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: SKM195GAL062D
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 700 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 230 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1300 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SKM195GAL062D
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SKM195GAL062D даташит
skm195gal062d skm195gb062d.pdf
SEMITRANS M Absolute Maximum Ratings Values PT-IGBT Modules Symbol Conditions 1) Units VCES 600 V VCGR RGE = 20 k 600 V SKM 195 GB 062 D IC Tcase = 25/60 C 230 / 195 A SKM 195 GAL 062 D 6) ICM Tcase = 25/60 C; tp = 1 ms 460 / 390 A VGES 20 V Ptot per IGBT, Tcase = 25 C 700 W Tj, (Tstg) 40 ... +150 (125) C Visol AC, 1 min. 2 500 V humidity DIN 40 040 Class F cl
Другие IGBT... SKM150GAL123D , SKM150GAR123D , SKM150GB063D , SKM150GB123D , SKM150GB124D , SKM150GB125D , SKM150GB173D , SKM150GB174D , GT30F132 , SKM195GAL063DN , SKM195GAL124DN , SKM195GAR063DN , SKM195GB062D , SKM195GB063DN , SKM195GB124DN , SKM200GA123D , SKM200GAL123D .
History: MPBW30N65E | MPBQ75N120E | JT075N120F2MA1E | ISL9V3036S3S
History: MPBW30N65E | MPBQ75N120E | JT075N120F2MA1E | ISL9V3036S3S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor