BUK9518-55A Todos los transistores

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BUK9518-55A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUK9518-55A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 136 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 55 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 15 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V

Corriente continua de drenaje (Id): 61 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.016 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220AB

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BUK9518-55A Datasheet (PDF)

1.1. buk9518-55.pdf Size:52K _philips

BUK9518-55A
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Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS? transistor BUK9518-55 Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope using trench VDS Drain-source voltage 55 V technology. The device features very ID Drain current (DC) 57 A low on-state resistance and

1.2. buk9518-55a buk9618-55a.pdf Size:333K _philips

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BUK9518-55A; BUK9618-55A TrenchMOS logic level FET Rev. 01 27 August 2001 Product data 1. Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance. Product availability: BUK9518-55A in SOT78 (TO-220AB) 2 BUK9618-55A in SOT404 (D -PAK). 2. Features TrenchMOS technology Q101 complia

2.1. buk9518-30 1.pdf Size:47K _philips

BUK9518-55A
BUK9518-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS? transistor BUK9518-30 Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope using trench VDS Drain-source voltage 30 V technology. The device features very ID Drain current (DC) 55 A low on-state resistance and

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