75333G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 75333G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 111 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: TO247

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75333G datasheet

 0.1. Size:331K  fairchild semi
 huf75333g3 huf75333p3 huf75333s3s huf75333s3.pdf pdf_icon

75333G

HUF75333G3, HUF75333P3, HUF75333S3S, HUF75333S3 Data Sheet December 2001 66A, 55V, 0.016 Ohm. N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs 66A, 55V These N-Channel power MOSFETs Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Models advanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impeda

 9.1. Size:233K  fairchild semi
 hufa75333p3 hufa75333s3s hufa75333s3st.pdf pdf_icon

75333G

HUFA75333G3, HUFA75333P3, HUFA75333S3S Data Sheet December 2001 66A, 55V, 0.016 Ohm. N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs 66A, 55V These N-Channel power MOSFETs Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Models advanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

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