Справочник MOSFET. 75333G

 

75333G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 75333G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 111 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

75333G Datasheet (PDF)

 0.1. Size:331K  fairchild semi
 huf75333g3 huf75333p3 huf75333s3s huf75333s3.pdf pdf_icon

75333G

HUF75333G3, HUF75333P3, HUF75333S3S,HUF75333S3Data Sheet December 200166A, 55V, 0.016 Ohm. N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 66A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impeda

 9.1. Size:233K  fairchild semi
 hufa75333p3 hufa75333s3s hufa75333s3st.pdf pdf_icon

75333G

HUFA75333G3, HUFA75333P3, HUFA75333S3SData Sheet December 200166A, 55V, 0.016 Ohm. N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 66A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

Другие MOSFET... 75309D , 75309P3 , 75321D3 , 75321P , 75321S , 75329G , 75329P , 75329S , IRF540N , 75333P , 75333S , 75339G , 75339P , 75339S , 7N50A , A498 , ALD1101APA .

History: OSG65R200FEF-NB | SSD15N10 | AP9569GM | FQI15P12TU | WMB115N15HG4 | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.