75333G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 75333G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 111 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для 75333G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

75333G даташит

 0.1. Size:331K  fairchild semi
 huf75333g3 huf75333p3 huf75333s3s huf75333s3.pdf pdf_icon

75333G

HUF75333G3, HUF75333P3, HUF75333S3S, HUF75333S3 Data Sheet December 2001 66A, 55V, 0.016 Ohm. N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs 66A, 55V These N-Channel power MOSFETs Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Models advanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impeda

 9.1. Size:233K  fairchild semi
 hufa75333p3 hufa75333s3s hufa75333s3st.pdf pdf_icon

75333G

HUFA75333G3, HUFA75333P3, HUFA75333S3S Data Sheet December 2001 66A, 55V, 0.016 Ohm. N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs 66A, 55V These N-Channel power MOSFETs Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Models advanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

Другие IGBT... 75309D, 75309P3, 75321D3, 75321P, 75321S, 75329G, 75329P, 75329S, IRF540, 75333P, 75333S, 75339G, 75339P, 75339S, 7N50A, A498, ALD1101APA